Пояснительная записка
Пояснительная записка
к окончательной редакции проекта ГОСТ Р «ГСИ. Метод объемного резонатора для измерения комплексной диэлектрической проницаемости диэлектрических пластин с малыми потерями». Прямое применение MC-IDT (IEC 62562(2010)).
1 Проект стандарта подготовлен в соответствии с «Программой разработки национальных стандартов Российской Федерации на 2011 год» в рамках ТК 206 (шифр задания плана ГС 3.17.206-1.001.11).
2 Основание для разработки стандарта:
Основанием для выполнения является перечень заказов на выполнение работ в 2011 году за счет средств федерального бюджета по разделу 0401 «Общеэкономические вопросы», целевая статья 3400101 «Техническое регулирование», вид расходов 012 «Выполнение функций государственными органами», статья расходов 226 «Прочие работы, услуги».
3 Краткая характеристика объекта стандартизации:
Проект стандарта подготовлен на основе собственного аутентичного перевода международного стандарта IEC 62562:2010 «Cavity resonator method to measure the complex permittivity of low-loss dielectric plates» на русский язык его английской версии без изменения структуры и технического содержания.
Наименование настоящего стандарта изменено относительно наименования указанного международного стандарта и заявленного в ПГС-2011 для приведения в соответствие с ГОСТ Р 1.5 – 2004 (подраздел 3.5).
- название в ПГС-2011 (поз. 3.17.206-1.001.11) – ГОСТ Р «ГСИ. Комплексная диэлектрическая проницаемость диэлектрических пластин с малыми потерями с применением объёмного резонатора. Методика измерения»;
- название подготовленного стандарта – ГОСТ Р МЭК 62562 «ГСИ. Комплексная диэлектрическая проницаемость диэлектрических пластин с малыми потерями. Метод измерения в объёмном резонаторе».
Объектом данного стандарта является описание метода объемного резонатора, применяемого для измерения комплексной диэлектрической проницаемости диэлектрических пластин на частотах микроволнового диапазона. Он был создан для разработки новых материалов и конструирования активных и пассивных устройств, для которых всё более важной становится стандартизация методов измерения свойств материалов.
4 Метод, представленный в данном стандарте, имеет следующие характеристики:
- измеряемые параметры: относительная диэлектрическая проницаемость и тангенс угла диэлектрических потерь диэлектрических пластин;
- диапазон частот……………………………………… 2 ГГц < < 40 ГГц;
- относительная диэлектрическая проницаемость……. 2 < < 100;
- тангенс угла диэлектрических потерь………………….. 10-6 < < 10-2;
- неопределённость измерения не более 0,3% для относительной диэлектрической проницаемости и не более 5×10–6 для тангенса угла диэлектрических потерь.
Метод обеспечивает возможность определения температурной зависимости комплексной диэлектрической проницаемости диэлектрических пластин в микроволновом диапазоне частот.
5 Ожидаемая эффективность:
Применение метода измерений, изложенного в данном ГОСТ Р, позволит получать высокоточные данные по диэлектрическим свойствам диэлектрических пластин на частотах микроволнового диапазона (от 2 до 40 ГГц), выпускаемых для применения в различных отраслях промышленности, в том числе используемых для применения в приоритетных направлениях развития науки, технологий и техники РФ, таких как информационные технологии и электроника, космические и авиационные технологии, материалы для микро- и наноэлектроники и др.
6 Проект стандарта соответствует Федеральному закону «Об обеспечении единства измерений», РМГ 29-99 «Государственная система обеспечения единства измерений. Метрология. Основные термины и определения»
7 Соответствие международному (региональному) стандарту:
Подготовленный проект ГОСТ Р – это прямое применение международного стандарта (МС-IDT) IEC 62562:2010 «Cavity resonator method to measure the complex permittivity of low-loss dielectric plates» на основе собственного аутентичного перевода на русский язык его английской версии.
8 Первая редакция проекта ГОСТ Р была разослана на отзыв в 19 организаций Министерства промышленности и торговли России, Минобороны, Министерства образования и науки и размещена на сайте Восточно-Сибирского филиала ФГУП «ВНИИФТРИ» www.vniiftri-irk.ru.
От шести организаций получены отзывы. В отзывах отмечается, что данный стандарт востребован современным состоянием материаловедения и измерительной техники и введение его в действие необходимо. Применение изложенного в стандарте метода позволит получить высокоточные данные при измерении диэлектрических параметров диэлектрических подложек для интегральных СВЧ микросхем, выпускаемых для применения в радиоэлектронике, листовых диэлектриков. Стандарт учитывает международный опыт, соответствует интеграционным процессам РФ в мировое сообщество.
Получено 10 замечаний редакционного характера, большинство из них приняты и учтены при разработке окончательной редакции проекта стандарта.
9 Данный стандарт вводится впервые.
10 Уведомление о разработке проекта национального стандарта размещено на сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии http://www.gost.ru 06.06. 2011 г.
Уведомление о завершении публичного обсуждения проекта национального стандарта размещено на сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии http://www.gost.ru 16.11.2011 г.
11 Стандарт подготовлен Восточно-Сибирским филиалом Федерального государственного унитарного предприятия «Всероссийский научно-исследовательский институт физико-технических и радиотехнических измерений (Восточно-Сибирский филиал ФГУП «ВНИИФТРИ»).
Почтовый адрес: Россия, 664056, Иркутск ул. Бородина, 57;
Контактный телефон: (3952)-46-80-40 E-mail: office@niiftri.irk.ru, dep14@niiftri.irk.ru
Директор Восточно-Сибирского филиала В.Н. Егоров
ФГУП «ВНИИФТРИ»
Исполнитель, зав.лабораторией М.В. Кащенко
Наверх